El projecte, impulsat pel Govern català, preveu una inversió global de 400 milions d’euros i inclou una sala blanca de 2.000 m² per desenvolupar xips amb materials alternatius al silici. El nou centre fomentarà la innovació i la transferència de coneixements entre recerca i empresa.

El projecte, emmarcat dins del PERTE Xip i el European Chips Act, rebrà finançament europeu i comptarà amb una nova entitat pública per gestionar-ne l’execució i reforçar l’autonomia tecnològica del continent.

InnoFAB és una iniciativa estratègica destinada a oferir un entorn únic per a start ups i empreses en l’àmbit dels semiconductors, que potenciï les seves capacitats de fabricació i acceleri l’adopció de noves solucions i productes per a tots els sectors i tipus d’empresa, incloent-hi pimes i gran empresa. Aquesta iniciativa afavorirà la creació d’ocupació científica i tècnica altament qualificada i consolidarà Catalunya com a hub europeu en semiconductors. També reforçarà la translació de coneixement des dels centres de recerca cap al mercat.

Amb aquest pas, Catalunya fa una aposta clara per liderar l’electrònica del futur, incorporant a l’ecosistema les capacitats de prototipatge de xips a les capacitats actuals en les fases de disseny.

Més informació aquí.